产品讯息 | 设备
贴合设备
JOYO真空贴合设备
※平面/曲面贴合设备:在真空环境下进行高精度对位贴合※实绩应用:OLED Flexible、Micro LED、CMOS Sensor、太阳电池、电子纸、半导体开发应用
SUNTEC 大气贴合设备
※平面/曲面贴合设备:在大气环境下进行高精度对位贴合。※实绩应用:OLED Flexible、Micro LED、CMOS Sensor、车用电池、医疗相关。
曝光设备
DNK化合物半导体用曝光装置(Mask Aligner)
主要特长•采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。
•利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。
•利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。
•利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。
•通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送。
键合设备
混合键合设备
HBS系列全自动晶圆混合键合系统是自动化程度、集成度很高的满足混合键合要求的键合设备,集成了键合工艺的多个功能模块,真正实现了室温的直接键合工艺。临时键合设备
全自动临时键合设备主要广泛应用于3D IC,Advanced packaging,MEMS & Sensors,Power Devices,RF和LED领域,具备自动化程度高、Throughput高、工艺扩展性高的特点。可以根据客户需求实现灵活定制热压键合设备
WB系列晶圆键合设备是针对晶圆级键合需求而开发的键合设备。SOI键合设备
全自动SOI键合设备主要广泛应用于高速逻辑电路、功率芯片、汽车电子、射频芯片、微机电、光通讯等领域,具备自动化程度高、Throughput高、工艺扩展性高的特点。可以根据客户需求实现灵活定制。激光退火设备
IGBT激光退火设备
UPLA/UPLD系列设备,专为硅基功率器件背面退火量产工艺开发,采用优秀的模块化设计及升级版方案,可实现超薄晶圆和大翘曲晶圆的精确定位及快速可靠传输,采用独特的定制化红光技术,可完成超薄片单/多层掺杂的深度激活,满足IGBT等功率器件又薄又深的多样化退火工艺需求。SiC激光退火设备
UP-SCLA02激光退火设备,针对半导体材料SiC退火加工的全新升级机台,可灵活配置紫外或绿光波长,采用优秀的模块化设计及灵活、可靠的集成方式,对比振镜方案性能显著提升。可实现超薄晶圆、大翘曲晶圆、键合晶圆的精确定位及高效可靠传输,具备工艺腔室氧含量控制<10ppm、视觉定位、各工艺参数实时监控等功能。NSLA激光退火设备
华卓精科自主研发的UP-NSLA系列Silicide激光退火设备应用于28nm及以下节点的silicide工艺,实现优良的Silicide欧姆接触,解决creep up、Bridging和piping等问题。SDLA激光退火设备
华卓精科自主研发的UP-SDLA-300,是一款针对40-14nm芯片制程的前道退火关键设备,即晶圆前道栅工艺制程的超浅结USJ(Ultra Shallow Junction)和SD(Source/Drain)退火,实现注入掺杂离子激活和结深控制,解决了前道退火栅工艺中的重要难题-图案效应。关于详细规格内容,欢迎来电商谈。
雷射钻孔/切割/挖槽设备
鐳射谷 高精度激光开槽/切割设备
※机器特色:全自动高精度紫外激光加工设备,可依CAD图档做精密的加工。
※系统特点:
•高性能、高精度XYZ平台。
•视觉对位系统采用与雷射光学同轴系统。
•自动产生定位点位置,可适用各种定位图形,具有材料涨缩补正功能。
•加工路径容易规划或是加载DXF档。
•具备强力吸尘系统。
•设备模块化设计概念,可扩增模块(同时两台激光加工模块),扩充产能。
•人性化界面,即时掌控加工状态,并可远端监控。
滴下/涂布设备
武藏 滴下/涂布设备
※超高速非接触式滴下涂布:药剂搅拌、自动分注、生技业界血糖酵素试纸及稀有药剂滴下※FPD细线化涂布设备:断面积600nm、300mm/sec高速涂布、异形自由涂布、高黏度材料涂布
※半导体滴下涂布设备:高速涂布、超微量喷洒、整面式涂布应用
※其他设备:3D异形、多曲多角度、水胶OCR涂布、PCB基板防水涂布喷洒
若有各别仕样需求,欢迎来电商谈
武藏 桌上型点胶机
※精确控制微微升(pL:兆分之一升)和毫微升(nL:十亿分之一升)水平的液体※控制器种类众多,因应各种业界使用的材料,无论高或低黏度,都有相对应的点胶技术可以提供。
※可提供高精度、高刚性的作业平台,从桌上型设备都到自动化设备都可以对应。
Ink Jet
SIJ超微细喷涂加工装置
※超微量喷吐(1fl or less),为传统喷墨体积的1/1000。※高黏度对应(0.5~10000mPas),实现了传统喷墨无法克服的高黏度非加热吐出。
※在大气中,常温下也可以描绘出与光刻工艺匹敌的精细图案。