UPLA/UPLD系列设备，专为硅基功率器件背面退火量产工艺开发，采用优秀的模块化设计及升级版方案，可实现超薄晶圆和大翘曲晶圆的精确定位及快速可靠传输，采用独特的定制化红光技术，可完成超薄片单/多层掺杂的深度激活，满足IGBT等功率器件又薄又深的多样化退火工艺需求。

UP-SCLA02激光退火设备，针对半导体材料SiC退火加工的全新升级机台，可灵活配置紫外或绿光波长，采用优秀的模块化设计及灵活、可靠的集成方式，对比振镜方案性能显著提升。可实现超薄晶圆、大翘曲晶圆、键合晶圆的精确定位及高效可靠传输，具备工艺腔室氧含量控制<10ppm、视觉定位、各工艺参数实时监控等功能。

华卓精科自主研发的UP-NSLA系列Silicide激光退火设备应用于28nm及以下节点的silicide工艺，实现优良的Silicide欧姆接触，解决creep up、Bridging和piping等问题。

华卓精科自主研发的UP-SDLA-300，是一款针对40-14nm芯片制程的前道退火关键设备，即晶圆前道栅工艺制程的超浅结USJ（Ultra Shallow Junction）和SD（Source/Drain）退火，实现注入掺杂离子激活和结深控制，解决了前道退火栅工艺中的重要难题-图案效应。
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