UPLA/UPLDシリーズ装置はシリコンパワーデバイスバックグランドアニール量産のために優れたモジュール設計とバージョンアップ方案を用いて開発され、超薄ウェハーとワープウェハーの高精度測位及びデータの迅速移行が実現できます。そして、独特な特注化赤外光技術を採用し、重ねた単/多層超薄ウェハーの深い活性化やIGBT等パワーデバイスの浅深で多様化なアニールプロセスを満たせます。

UP-SCLA02レーザアニール装置は半導体材料SiCのアニール加工処理のために新しくアップグレードした機械で、紫外線と緑色光の波長を配置でき、優れたモジュール設計と知能で信頼できる集成方法を採用し、ガルバノミラー方案より性能が著しく向上しました。超薄ウェハー、ワープウェハーとボンディングウェハーの高精度測位及びデータの迅速移行が実現でき、プロセスチャンバーにおける酸素含有量の調節<10ppm、視覚定位、各個プロセスパラメータのリアルタイム監視等機能ができます。

U-Precision自主開発のUP-NSLAシリーズSilicideレーザアニール装置は28nm及びそれ以下のノードsilicideプロセスに応用し、優れたSilicideでオーム性接触が実現でき、creep up、Bridgingとpiping等問題も解決できます。

U-Precision自主開発のUP-SDLA-300は40-14nmウェハー前工程のアニールに対する重要な設備で、即ちウェハー前工程プロセス製造極超浅接合USJ（Ultra Shallow Junction）とSD（Source/Drain）のアニールにイオン注入活性化と接合深さの控えを実現でき、前工程アニールプロセスで重要な難問-パターン効果も解決できました。

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