UPLA/UPLD系列設備，專為矽基功率器件背面退火量產工藝開發，採用優秀的模塊化設計及升級版方案，可實現超薄晶圓和大翹曲晶圓的精確定位及快速可靠傳輸，採用獨特的定制化紅光技術，可完成超薄片單/多層摻雜的深度激活，滿足IGBT等功率器件又薄又深的多樣化退火工藝需求。

UP-SCLA02雷射退火設備，針對半導體材料SiC退火加工的全新升級機台，可靈活配置紫外或綠光波長，採用優秀的模塊化設計及靈活、可靠的集成方式，對比振鏡方案性能顯著提升。可實現超薄晶圓、大翹曲晶圓、鍵合晶圓的精確定位及高效可靠傳輸，具備工藝腔室氧含量控制<10ppm、視覺定位、各工藝參數實時監控等功能。

華卓精科自主研發的UP-NSLA系列Silicide雷射退火設備應用於28nm及以下節點的silicide工藝,實現優良的Silicide歐姆接觸,解決creep up、Bridging和piping等問題。

華卓精科自主研發的UP-SDLA-300，是一款針對40-14nm芯片製程的前道退火關鍵設備，即晶圓前道柵工藝製程的超淺結USJ（Ultra Shallow Junction）和SD （Source/Drain）退火，實現注入摻雜離子激活和結深控制，解決了前道退火柵工藝中的重要難題-圖案效應。
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