WLBI（Wafer Level Burn-In）
晶圓級老化測試主要針對車規級碳化矽（SiC）晶圓。
此測試通過篩選出可靠性有隱患的die，以確保封裝後車規等級的SiC模組具有高可靠性。這樣的測試對於提高車用SiC模組的使用可靠性至關重要。

WLBI3800 系統設計可同時進行3個晶圓的HTGB和HTRB老化測試，並具備自動上料和下料功能。
系統兼容2、3、4、6、8寸晶圓，雙卡匣設計無需銜接時間，能自動切換老化條件。
針對每個die，系統能進行Vth測試，並根據不同配置需求滿足不同成本要求，適用於可配置的研發應用和大規模生產應用。老化時間範圍廣泛，從幾分鐘到幾十個小時，甚至達到幾千小時。
每個通道均設有單獨的過電流保護功能，以保護被測器件，並可提供MAP數據用於分析。

WLBI（Wafer Level Burn-In）
晶圓級老化測試主要針對車規級碳化矽（SiC）晶圓。
此測試通過篩選出可靠性有隱患的die，以確保封裝後車規等級的SiC模組具有高可靠性。這樣的測試對於提高車用SiC模組的使用可靠性至關重要。

碳化矽高壓晶圓老化系統WLR3500設計可同時進行6個晶圓的HTGB和HTRB老化測試。
該系統能自動切換老化條件，對每個die進行Vth測試，並根據不同配置需求滿足不同成本要求，適用於可配置的研發應用和大規模生產應用。老化時間靈活，從幾分鐘到幾十個小時，甚至達到幾千小時。
每個通道均設有單獨的過電流保護功能，以保護被測器件，並可提供MAP數據用於分析。

KGD（Known Good Die）
測試系統主要應用於功率裸片的動態和靜態參數測試。
這個系統能夠對裂片後的DIE進行篩選，提升模組封裝的累計良率。
透過這樣的篩選，確保每個DIE在封裝前都經過嚴格測試，品質可靠。

KGD測試系統主要用於功率晶片的模具水平動態和靜態測試，
實施晶片性能指標篩選，提高封裝後模組的良品率。
根據客戶需求，系統可以支持客製化開發。

KGD（Known Good Die）
測試系統主要應用於功率裸片的動態和靜態參數測試。
這個系統能夠對裂片後的DIE進行篩選，提升模組封裝的累計良率。
透過這樣的篩選，確保每個DIE在封裝前都經過嚴格測試，品質可靠。

KGD測試分選系統，主要應用於功率晶片Die級靜態與動態測試，以實現對晶片性能指標的篩選，提升封裝後模組端的成品良率。
測試項目、測試條件以及測試參數可依客戶需求配置對應規格的測試機，支持定制化開發。系統支持多種晶片包裝方式，如藍膜、Gelpak、Waffle Pack以及Tape&Reel等。

WAT（Wafer Acceptance Test）
是半導體參數測試中的一個關鍵過程。
支援48通道SMU /接腳板/全接腳並行測試，兼容行業標準的探針卡結構，可控制各種通用探針台。
自行研發的亞pA級精確度源表，支援串行和並行兩種測試方案。

WAT6600是一款支援並行半導體參數測試的系統，能夠靈活配置Pin數，最多支援48個Pin，同時兼容市場主流的WAT程序探針卡和各種應用需求。

Wafer Level Reliability
晶圓級可靠性測試技術，用於提供有關半導體製程產品可靠性的快速反饋控制資訊。
晶圓級可靠性測試的目的在於測量構成半導體器件材料的變化。

WLR0010是針對半導體晶圓級器件的高溫帶電可靠性測試系統。
根據JEDEC標準，能快速測試器件的閘極氧化層可靠性，
同時多模式、高並行測試大幅降低了測試周期和成本。

SiPh Wafer Test
矽光子晶圓測試是基於矽基光電子大規模集成技術，利用光子和電子作為信息傳載的技術。
這種技術能夠顯著提升集成芯片的性能，是支持大數據、人工智能、移動通信等新興產業的基礎技術之一，尤其適用於大數據中心、5G、物聯網等領域。
矽光技術利用 矽材料中的光子、電子和光電子器件的工作原理和特性，採用與集成電路兼容的微納米加工工藝，在矽晶圓上開發製造光電子芯片。

sCT9001全自動矽光晶圓測試機，具有高精度、測試穩定性佳及靈活的可擴展性，適用於實驗室驗證與量產測試。